Chińscy naukowcy ogłaszają przełom w technologii EUV – nowa platforma może uniezależnić kraj od ASML
Zespół naukowców z Instytutu Optyki i Mechaniki Precyzyjnej w Szanghaju opracował eksperymentalną platformę źródła światła EUV opartą na laserze ze stanu stałego, osiągającą parametry konkurencyjne na skalę międzynarodową.
Jak przekazał we wtorek portal SCMP, chińscy badacze z Instytutu Optyki i Mechaniki Precyzyjnej w Szanghaju, należącego do Chińskiej Akademii Nauk, opracowali platformę źródła światła ekstremalnie nadfioletowego (EUV), która według opublikowanego artykułu naukowego osiąga parametry porównywalne z międzynarodowymi rozwiązaniami. Zespół badawczy kierowany był przez Lin Nana, byłego szefa technologii źródeł światła w holenderskiej firmie ASML.
ASML jest obecnie jedynym na świecie producentem maszyn EUV, niezbędnych do produkcji zaawansowanych chipów poniżej 7 nanometrów. Od 2019 roku firma ta, pod wpływem nacisków Stanów Zjednoczonych, nie może sprzedawać swoich najnowocześniejszych urządzeń do Chin. 16 kwietnia dyrektor generalny ASML, Christophe Fouquet, powiedział podczas rozmowy z inwestorami: „Zawsze można wygenerować pewne światło EUV, ale stworzenie maszyny EUV zajęłoby Chinom wiele, wiele lat”.
Zobacz też: Holenderski wywiad uznał Chiny za główne zagrożenie dla bezpieczeństwa gospodarczego
Lin powrócił do Chin w 2021 roku w ramach krajowego programu rekrutacji specjalistów z zagranicy i założył grupę badawczą zajmującą się zaawansowaną technologią litografii. Przed zatrudnieniem w ASML był stypendystą unijnego programu Marie Skłodowska-Curie i pracował pod kierunkiem Anne L’Huillier, laureatki Nagrody Nobla w dziedzinie fizyki z 2023 roku.
Zgodnie z treścią publikacji zamieszczonej w marcowym numerze czasopisma Chinese Journal of Lasers, badacze opracowali źródło światła EUV oparte na plazmie generowanej laserowo (LPP), wykorzystując laser ze stanu stałego. W przeciwieństwie do technologii ASML, która opiera się na laserach CO₂, chińska platforma charakteryzuje się większą efektywnością energetyczną i mniejszymi kosztami operacyjnymi.
„Platforma eksperymentalna wspiera lokalizację źródeł światła EUV opartych na laserach ze stanu stałego oraz systemów pomiarowych, odgrywając kluczową rolę w wysiłkach Chin na rzecz rozwoju technologii litografii EUV i jej komponentów” – czytamy w artykule.
Zespół osiągnął maksymalną sprawność konwersji na poziomie 3,42 procenta, przewyższając wynik 3,2 procent osiągnięty w 2019 roku przez holenderskie centrum Advanced Research Centre for Nanolithography oraz 1,8 procent uzyskane przez ETH Zürich w 2021 roku. Wynik chińskiej platformy pozostaje jednak niższy niż 4,9 procent odnotowane przez University of Central Florida w 2007 roku oraz 4,7 procent osiągnięte przez japoński Uniwersytet Utsunomiya w 2023 roku.
Badacze oszacowali, że teoretyczna maksymalna sprawność ich platformy może sięgnąć 6 procent. Jak podkreślili, „nawet przy sprawności konwersji rzędu 3 procent, źródło światła LPP-EUV napędzane laserem ze stanu stałego może dostarczyć moc w zakresie watów, co czyni je odpowiednim do testowania ekspozycji EUV i kontroli masek”.
Naukowcy planują kontynuację badań i dodatkowe pomiary, aby zoptymalizować wyniki teoretyczne i eksperymentalne.
Kresy.pl/SCMP
